MCH5815-TL-E 安森美單 FET、MOSFET

MCH5815-TL-E 安森美單 FET、MOSFET - 規(guī)格參數(shù)與選型指南

MCH5815-TL-E 是由 安森美 制造的 單 FET、MOSFET 類電子元器件。P-CHANNEL SILICON MOSFET & SCHOT。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Obsolete、FET Type: P-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V。

MCH5815-TL-E 共有 17 項(xiàng)技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（290mOhm @ 800mA, 4.5V）、Vgs(th) (Max) @ Id（1V @ 1mA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（2.6 nC @ 4.5 V）、Vgs (Max)（±10V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（160 pF @ 6 V） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁(yè)。

關(guān)于 安森美：安森美（onsemi）作為全球領(lǐng)先的能源高效創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)者，致力于賦能客戶實(shí)現(xiàn)全球能源消耗的降低。公司憑借深厚的技術(shù)積淀和前瞻性的戰(zhàn)略布局，為全球設(shè)計(jì)工程師提供全面、領(lǐng)先的**電子元器件**解決方案。安森美的主營(yíng)產(chǎn)品線涵蓋了廣泛的**電子元件**類別，包括但不限于高性能的能源高效電源管理**IC芯片**、信號(hào)管理**IC芯片**、邏輯器件、分立器件以及定制化解決方案。這些**元器件**是現(xiàn)代電子產(chǎn)品不可或缺的組成部分，安森美通過(guò)其豐富的產(chǎn)品組合，有效應(yīng)對(duì)客戶在各種復(fù)雜設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)中遇到的難題。

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