
SFT1305-TL-E 安森美單 FET、MOSFET
安森美 SFT1305-TL-E 單 FET、MOSFET
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規(guī)格參數
| Product Status | Obsolete |
| FET Type | P-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 45 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80mOhm @ 5A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.6V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1060 pF @ 20 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 1W (Ta), 15W (Tc) |
| Operating Temperature | 150°C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | TP-FA |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
SFT1305-TL-E 安森美單 FET、MOSFET - 規(guī)格參數與選型指南
SFT1305-TL-E 是由 安森美 制造的 單 FET、MOSFET 類電子元器件。SFT1305 - P-CHANNEL SILICON MOSF。該器件的核心參數包括:Product Status: Obsolete、FET Type: P-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V。
SFT1305-TL-E 共有 16 項技術參數,涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs(80mOhm @ 5A, 10V)、Vgs(th) (Max) @ Id(2.6V @ 1mA)、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs(20 nC @ 10 V)、Vgs (Max)(±20V)、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds(1060 pF @ 20 V) 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。
關于 安森美:安森美(onsemi)作為全球領先的能源高效創(chuàng)新驅動者,致力于賦能客戶實現全球能源消耗的降低。公司憑借深厚的技術積淀和前瞻性的戰(zhàn)略布局,為全球設計工程師提供全面、領先的**電子元器件**解決方案。安森美的主營產品線涵蓋了廣泛的**電子元件**類別,包括但不限于高性能的能源高效電源管理**IC芯片**、信號管理**IC芯片**、邏輯器件、分立器件以及定制化解決方案。這些**元器件**是現代電子產品不可或缺的組成部分,安森美通過其豐富的產品組合,有效應對客戶在各種復雜設計挑戰(zhàn)中遇到的難題。
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