CSD16342Q5AT 德州儀器單 FET、MOSFET
德州儀器 CSD16342Q5AT 單 FET、MOSFET
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規(guī)格參數(shù)
| Product Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 21A (Ta), 100A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 8V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.7mOhm @ 20A, 8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250μA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.1 nC @ 4.5 V |
| Vgs (Max) | +10V, -8V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1350 pF @ 12.5 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 3W (Ta) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | 8-VSON (5x6) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
CSD16342Q5AT 德州儀器單 FET、MOSFET - 規(guī)格參數(shù)與選型指南
CSD16342Q5AT 是由 德州儀器 制造的 單 FET、MOSFET 類電子元器件。PROTOTYPE。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、FET Type: N-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 100A (Tc)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V。
CSD16342Q5AT 共有 16 項(xiàng)技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（4.7mOhm @ 20A, 8V）、Vgs(th) (Max) @ Id（1.1V @ 250μA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（7.1 nC @ 4.5 V）、Vgs (Max)（+10V, -8V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（1350 pF @ 12.5 V） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。
關(guān)于 德州儀器：德州儀器公司（Texas Instruments Incorporated，簡稱TI）是一家全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體設(shè)計(jì)和制造企業(yè)，專注于開發(fā)模擬集成電路和嵌入式處理器。通過匯聚全球最杰出的人才，TI不斷創(chuàng)造出塑造科技未來的創(chuàng)新成果。TI正助力超過10萬名客戶在當(dāng)下變革未來。
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