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APTM20DHM16TG 美高森美FET、MOSFET 陣列
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APTM20DHM16TG 美高森美FET、MOSFET 陣列

品牌:美高森美 分類:FET、MOSFET 陣列 描述:MOSFET 2N-CH 200V 104A SP4

美高森美 APTM20DHM16TG FET、MOSFET 陣列

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規(guī)格參數(shù)

Product StatusDiscontinued at Digi-Key
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Configuration2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET Feature-
Drain to Source Voltage (Vdss)200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C104A
Rds On (Max) @ Id, Vgs19mOhm @ 52A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 2.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs140nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds7220pF @ 25V
Power - Max390W
Operating Temperature-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeChassis Mount
Package / CaseSP4
Supplier Device PackageSP4

APTM20DHM16TG 美高森美FET、MOSFET 陣列 - 規(guī)格參數(shù)與選型指南

APTM20DHM16TG 是由 美高森美 制造的 FET、MOSFET 陣列 類電子元器件。MOSFET 2N-CH 200V 104A SP4。該器件的核心參數(shù)包括:Product Status: Discontinued at Digi-Key、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical、Drain to Source Voltage (Vdss): 200V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 52A, 10V。

APTM20DHM16TG 共有 14 項(xiàng)技術(shù)參數(shù),涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Vgs(th) (Max) @ Id(5V @ 2.5mA)、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs(140nC @ 10V)、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds(7220pF @ 25V)、Power - Max(390W)、Operating Temperature(-40°C ~ 150°C (TJ)) 等。更多詳細(xì)參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。

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APTM20DHM16TG常見問題

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