APTM120A80FT1G 美高森美FET、MOSFET 陣列
美高森美 APTM120A80FT1G FET、MOSFET 陣列
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規(guī)格參數(shù)
| Product Status | Obsolete |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET Feature | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 14A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 960mOhm @ 12A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 260nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6696pF @ 25V |
| Power - Max | 357W |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Package / Case | SP1 |
| Supplier Device Package | SP1 |
APTM120A80FT1G 美高森美FET、MOSFET 陣列 - 規(guī)格參數(shù)與選型指南
APTM120A80FT1G 是由 美高森美 制造的 FET、MOSFET 陣列 類電子元器件。MOSFET 2N-CH 1200V 14A SP1。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Obsolete、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)、Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 960mOhm @ 12A, 10V。
APTM120A80FT1G 共有 14 項(xiàng)技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Vgs(th) (Max) @ Id（5V @ 2.5mA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（260nC @ 10V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（6696pF @ 25V）、Power - Max（357W）、Operating Temperature（-40°C ~ 150°C (TJ)） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。同時(shí)您還可以下載PDF規(guī)格書，獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。
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深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司是美高森美代理商，專業(yè)供應(yīng)APTM120A80FT1G等FET、MOSFET 陣列 產(chǎn)品。如您需要APTM120A80FT1G的datasheet數(shù)據(jù)手冊(cè)、規(guī)格參數(shù)詳情或替代型號(hào)信息，歡迎聯(lián)系我們獲取技術(shù)支持。
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