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EPC2106ENGRT 意法半導(dǎo)體FET、MOSFET 陣列
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EPC2106ENGRT 意法半導(dǎo)體FET、MOSFET 陣列

品牌:意法半導(dǎo)體 分類:FET、MOSFET 陣列 描述:GAN TRANS 2N-CH 100V BUMPED DIE

意法半導(dǎo)體 EPC2106ENGRT FET、MOSFET 陣列

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規(guī)格參數(shù)

Product StatusDiscontinued at Digi-Key
TechnologyGaNFET (Gallium Nitride)
Configuration2 N-Channel (Half Bridge)
FET Feature-
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs70mOhm @ 2A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 600μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.73nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds75pF @ 50V
Power - Max-
Operating Temperature-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseDie
Supplier Device PackageDie

EPC2106ENGRT 意法半導(dǎo)體FET、MOSFET 陣列 - 規(guī)格參數(shù)與選型指南

EPC2106ENGRT 是由 意法半導(dǎo)體 制造的 FET、MOSFET 陣列 類電子元器件。GAN TRANS 2N-CH 100V BUMPED DIE。該器件的核心參數(shù)包括:Product Status: Discontinued at Digi-Key、Technology: GaNFET (Gallium Nitride)、Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)、Drain to Source Voltage (Vdss): 100V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 5V。

EPC2106ENGRT 共有 13 項(xiàng)技術(shù)參數(shù),涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Vgs(th) (Max) @ Id(2.5V @ 600μA)、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs(0.73nC @ 5V)、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds(75pF @ 50V)、Operating Temperature(-40°C ~ 150°C (TJ))、Mounting Type(Surface Mount) 等。更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。同時(shí)您還可以下載PDF規(guī)格書,獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。

關(guān)于 意法半導(dǎo)體:意法半導(dǎo)體(EPC)作為氮化鎵(GaN)功率管理器件領(lǐng)域的創(chuàng)新領(lǐng)導(dǎo)者,始終致力于推動(dòng)電子元器件技術(shù)的革新。EPC率先推出了業(yè)界首款增強(qiáng)型氮化鎵硅基(eGaN?)場(chǎng)效應(yīng)晶體管,成功地將GaN技術(shù)應(yīng)用于高性能功率 MOSFET 的替代方案。相較于傳統(tǒng)的硅基功率 MOSFET,EPC 的 eGaN? 器件在性能上實(shí)現(xiàn)了數(shù)倍的飛躍,為眾多尖端應(yīng)用領(lǐng)域提供了卓越的解決方案。

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EPC2106ENGRT常見問題

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深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司是意法半導(dǎo)體的代理商和供應(yīng)商嗎?
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