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PAA12400BM3 PN結(jié)半導(dǎo)體FET、MOSFET 陣列
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PAA12400BM3 PN結(jié)半導(dǎo)體FET、MOSFET 陣列

品牌:PN結(jié)半導(dǎo)體 分類:FET、MOSFET 陣列 描述:1200V HALF-BRIDGE
¥6352.99

PN結(jié)半導(dǎo)體 PAA12400BM3 FET、MOSFET 陣列

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規(guī)格參數(shù)

Product StatusActive
TechnologySilicon Carbide (SiC)
Configuration2 N-Channel (Half Bridge)
FET Feature-
Drain to Source Voltage (Vdss)1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C350A
Rds On (Max) @ Id, Vgs7.3mOhm @ 300A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 100mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds29.5pF @ 1000V
Power - Max-
Operating Temperature-40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeChassis Mount
Package / CaseModule
Supplier Device PackageModule

PAA12400BM3 PN結(jié)半導(dǎo)體FET、MOSFET 陣列 - 規(guī)格參數(shù)與選型指南

PAA12400BM3 是由 PN結(jié)半導(dǎo)體 制造的 FET、MOSFET 陣列 類電子元器件。1200V HALF-BRIDGE。該器件的核心參數(shù)包括:Product Status: Active、Technology: Silicon Carbide (SiC)、Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)、Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350A、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 300A, 20V。

PAA12400BM3 共有 12 項技術(shù)參數(shù),涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Vgs(th) (Max) @ Id(5V @ 100mA)、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds(29.5pF @ 1000V)、Operating Temperature(-40°C ~ 175°C (TJ))、Mounting Type(Chassis Mount)、Package / Case(Module) 等。更多詳細(xì)參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。同時您還可以下載PDF規(guī)格書,獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。

關(guān)于 PN結(jié)半導(dǎo)體:PN Junction Semiconductor,中文名“PN結(jié)半導(dǎo)體”,是一家專注于高性能功率半導(dǎo)體器件設(shè)計與銷售的創(chuàng)新型企業(yè),采用Fabless(無晶圓廠)模式,致力于為全球客戶提供領(lǐng)先的電子元器件解決方案。品牌自成立以來,便與全球頂級的晶圓代工廠X-FAB建立了深厚的戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系。X-FAB作為一家擁有超過30年歷史且完全通過汽車行業(yè)嚴(yán)苛認(rèn)證的晶圓廠,為PN結(jié)半導(dǎo)體提供了卓越的硅碳化物(SiC)功率器件制造支持,確保了產(chǎn)品的高品質(zhì)與可靠性,使其在競爭激烈的元器件市場中脫穎而出。

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PAA12400BM3常見問題

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