AOE6932 萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體FET、MOSFET 陣列
萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體 AOE6932 FET、MOSFET 陣列
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規(guī)格參數(shù)
| Product Status | Active |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| FET Feature | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 55A (Tc), 85A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5mOhm @ 20A, 10V, 1.4mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250μA, 1.9V @ 250μA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 4.5V, 50nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1150pF @ 15V, 4180pF @ 15V |
| Power - Max | 24W, 52W |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-VDFN Exposed Pad |
| Supplier Device Package | 8-DFN (5x6) |
AOE6932 萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體FET、MOSFET 陣列 - 規(guī)格參數(shù)與選型指南
AOE6932 是由 萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體 制造的 FET、MOSFET 陣列 類電子元器件。MOSFET 2 N-CH 30V 55A/85A 8DFN。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical、Drain to Source Voltage (Vdss): 30V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc), 85A (Tc)、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V, 1.4mOhm @ 20A, 10V。
AOE6932 共有 14 項(xiàng)技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Vgs(th) (Max) @ Id（2.2V @ 250μA, 1.9V @ 250μA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（15nC @ 4.5V, 50nC @ 4.5V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（1150pF @ 15V, 4180pF @ 15V）、Power - Max（24W, 52W）、Operating Temperature（-55°C ~ 150°C (TJ)） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁(yè)。
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深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司是萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體代理商，專業(yè)供應(yīng)AOE6932等FET、MOSFET 陣列 產(chǎn)品。如您需要AOE6932的datasheet數(shù)據(jù)手冊(cè)、規(guī)格參數(shù)詳情或替代型號(hào)信息，歡迎聯(lián)系我們獲取技術(shù)支持。
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