FDC6322C 仙童半導體FET、MOSFET 陣列
仙童半導體 FDC6322C FET、MOSFET 陣列
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規(guī)格參數(shù)
| Product Status | Obsolete |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | N and P-Channel |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 220mA, 460mA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4Ohm @ 400mA, 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250μA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.7nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 9.5pF @ 10V |
| Power - Max | 700mW |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Supplier Device Package | SuperSOT?-6 |
FDC6322C 仙童半導體FET、MOSFET 陣列 - 規(guī)格參數(shù)與選型指南
FDC6322C 是由 仙童半導體 制造的 FET、MOSFET 陣列 類電子元器件。SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Obsolete、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: N and P-Channel、FET Feature: Logic Level Gate、Drain to Source Voltage (Vdss): 25V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA, 460mA。
FDC6322C 共有 15 項技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（4Ohm @ 400mA, 4.5V）、Vgs(th) (Max) @ Id（1.5V @ 250μA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（0.7nC @ 4.5V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（9.5pF @ 10V）、Power - Max（700mW） 等。更多詳細參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標簽頁。同時您還可以下載PDF規(guī)格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
關(guān)于 仙童半導體：Fairchild Semiconductor，中文名“仙童半導體”，是全球知名的半導體解決方案供應商，以其在功率半導體和模擬集成電路領(lǐng)域的深厚積淀而聞名。自創(chuàng)立以來，仙童半導體一直致力于提供高性能、高可靠性的電子元器件，成為眾多行業(yè)領(lǐng)先企業(yè)信賴的合作伙伴。其主營產(chǎn)品類別廣泛，涵蓋了功率器件（如MOSFET、IGBT、二極管）、模擬IC（如運算放大器、數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器、電源管理IC）、邏輯IC以及汽車電子專用器件等。這些電子元件是現(xiàn)代電子設備不可或缺的基礎(chǔ)。
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