BSO330N02KG 英飛凌科技FET、MOSFET 陣列
英飛凌科技 BSO330N02KG FET、MOSFET 陣列
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規(guī)格參數(shù)
| Product Status | Active |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.4A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 6.5A, 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 20μA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.9nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 730pF @ 10V |
| Power - Max | 1.4W |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Supplier Device Package | PG-DSO-8 |
BSO330N02KG 英飛凌科技FET、MOSFET 陣列 - 規(guī)格參數(shù)與選型指南
BSO330N02KG 是由 英飛凌科技 制造的 FET、MOSFET 陣列 類(lèi)電子元器件。N-CHANNEL POWER MOSFET。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 N-Channel (Dual)、FET Feature: Logic Level Gate、Drain to Source Voltage (Vdss): 20V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A。
BSO330N02KG 共有 15 項(xiàng)技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（30mOhm @ 6.5A, 4.5V）、Vgs(th) (Max) @ Id（1.2V @ 20μA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（4.9nC @ 4.5V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（730pF @ 10V）、Power - Max（1.4W） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁(yè)。
關(guān)于 英飛凌科技：**英飛凌科技（Infineon Technologies）：驅(qū)動(dòng)未來(lái)電子世界的核心力量**
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