BSM300D12P4G101 羅姆半導(dǎo)體FET、MOSFET 陣列
羅姆半導(dǎo)體 BSM300D12P4G101 FET、MOSFET 陣列
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規(guī)格參數(shù)
| Product Status | Active |
| Technology | Silicon Carbide (SiC) |
| Configuration | 2 N-Channel |
| FET Feature | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 291A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.8V @ 145.6mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 30000pF @ 10V |
| Power - Max | 925W (Tc) |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Package / Case | Module |
| Supplier Device Package | Module |
BSM300D12P4G101 羅姆半導(dǎo)體FET、MOSFET 陣列 - 規(guī)格參數(shù)與選型指南
BSM300D12P4G101 是由 羅姆半導(dǎo)體 制造的 FET、MOSFET 陣列 類電子元器件。1200V, 291A, HALF BRIDGE, FULL S。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、Technology: Silicon Carbide (SiC)、Configuration: 2 N-Channel、FET Feature: Standard、Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 291A (Tc)。
BSM300D12P4G101 共有 13 項(xiàng)技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Vgs(th) (Max) @ Id（4.8V @ 145.6mA）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（30000pF @ 10V）、Power - Max（925W (Tc)）、Operating Temperature（175°C (TJ)）、Mounting Type（Chassis Mount） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁(yè)。
關(guān)于 羅姆半導(dǎo)體：羅姆公司成立于1958年，總部位于日本京都。羅姆設(shè)計(jì)和制造半導(dǎo)體、集成電路及其他電子元件，這些元件廣泛應(yīng)用于不斷發(fā)展壯大的無(wú)線通信、計(jì)算機(jī)、汽車和消費(fèi)電子市場(chǎng)。一些最具創(chuàng)新性的設(shè)備和裝置都采用了羅姆的產(chǎn)品。
BSM300D12P4G101 現(xiàn)貨庫(kù)存充足，可通過(guò)深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司立即采購(gòu)。作為 羅姆半導(dǎo)體 代理商和供應(yīng)商，我們保證所有元器件均為100%原裝正品，來(lái)源可靠可追溯。我們提供BSM300D12P4G101價(jià)格報(bào)價(jià)查詢、datasheet數(shù)據(jù)手冊(cè)下載、規(guī)格參數(shù)查閱及替代型號(hào)推薦服務(wù)，支持批量采購(gòu)與在線詢價(jià)。立即申請(qǐng)報(bào)價(jià)，獲取 BSM300D12P4G101 的最新價(jià)格和交期信息。
深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司是羅姆半導(dǎo)體代理商，專業(yè)供應(yīng)BSM300D12P4G101等FET、MOSFET 陣列 產(chǎn)品。如您需要BSM300D12P4G101的datasheet數(shù)據(jù)手冊(cè)、規(guī)格參數(shù)詳情或替代型號(hào)信息，歡迎聯(lián)系我們獲取技術(shù)支持。
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