FDG8842CZ 安森美FET、MOSFET 陣列
安森美 FDG8842CZ FET、MOSFET 陣列
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規(guī)格參數(shù)
| Product Status | Last Time Buy |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | N and P-Channel |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V, 25V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 750mA, 410mA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400mOhm @ 750mA, 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250μA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.44nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 120pF @ 10V |
| Power - Max | 300mW |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Supplier Device Package | SC-88 (SC-70-6) |
FDG8842CZ 安森美FET、MOSFET 陣列 - 規(guī)格參數(shù)與選型指南
FDG8842CZ 是由 安森美 制造的 FET、MOSFET 陣列 類電子元器件。MOSFET N/P-CH 30V/25V SC70-6。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Last Time Buy、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: N and P-Channel、FET Feature: Logic Level Gate、Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 25V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA, 410mA。
FDG8842CZ 共有 15 項(xiàng)技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（400mOhm @ 750mA, 4.5V）、Vgs(th) (Max) @ Id（1.5V @ 250μA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（1.44nC @ 4.5V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（120pF @ 10V）、Power - Max（300mW） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。
關(guān)于 安森美：安森美（onsemi）作為全球領(lǐng)先的能源高效創(chuàng)新驅(qū)動者，致力于賦能客戶實(shí)現(xiàn)全球能源消耗的降低。公司憑借深厚的技術(shù)積淀和前瞻性的戰(zhàn)略布局，為全球設(shè)計(jì)工程師提供全面、領(lǐng)先的**電子元器件**解決方案。安森美的主營產(chǎn)品線涵蓋了廣泛的**電子元件**類別，包括但不限于高性能的能源高效電源管理**IC芯片**、信號管理**IC芯片**、邏輯器件、分立器件以及定制化解決方案。這些**元器件**是現(xiàn)代電子產(chǎn)品不可或缺的組成部分，安森美通過其豐富的產(chǎn)品組合，有效應(yīng)對客戶在各種復(fù)雜設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)中遇到的難題。
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