STS8DN3LLH5 意法半導體FET、MOSFET 陣列
意法半導體 STS8DN3LLH5 FET、MOSFET 陣列
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規(guī)格參數(shù)
| Product Status | Active |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19mOhm @ 5A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250μA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.4nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 724pF @ 25V |
| Power - Max | 2.7W |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
STS8DN3LLH5 意法半導體FET、MOSFET 陣列 - 規(guī)格參數(shù)與選型指南
STS8DN3LLH5 是由 意法半導體 制造的 FET、MOSFET 陣列 類電子元器件。MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 N-Channel (Dual)、FET Feature: Logic Level Gate、Drain to Source Voltage (Vdss): 30V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A。
STS8DN3LLH5 共有 15 項技術參數(shù)，涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（19mOhm @ 5A, 10V）、Vgs(th) (Max) @ Id（1V @ 250μA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（5.4nC @ 4.5V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（724pF @ 25V）、Power - Max（2.7W） 等。更多詳細參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標簽頁。同時您還可以下載PDF規(guī)格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
關于 意法半導體：意法半導體是一家全球獨立的半導體公司，是開發(fā)和提供微電子應用領域半導體解決方案的領導者。公司結(jié)合了硅和系統(tǒng)方面的專業(yè)知識、制造實力、知識產(chǎn)權(quán)（IP）組合以及戰(zhàn)略合作伙伴關系，使其在系統(tǒng)級芯片（SoC）技術的前沿占據(jù)領先地位，其產(chǎn)品在推動當今的融合趨勢中發(fā)揮著關鍵作用。
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深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司是意法半導體代理商，專業(yè)供應STS8DN3LLH5等FET、MOSFET 陣列 產(chǎn)品。如您需要STS8DN3LLH5的datasheet數(shù)據(jù)手冊、規(guī)格參數(shù)詳情或替代型號信息，歡迎聯(lián)系我們獲取技術支持。
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