CSD87333Q3DT 德州儀器FET、MOSFET 陣列

CSD87333Q3DT 德州儀器FET、MOSFET 陣列 - 規(guī)格參數(shù)與選型指南

CSD87333Q3DT 是由 德州儀器 制造的 FET、MOSFET 陣列 類電子元器件。MOSFET 2N-CH 30V 15A 8VSON。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical、FET Feature: Logic Level Gate, 5V Drive、Drain to Source Voltage (Vdss): 30V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A。

CSD87333Q3DT 共有 15 項(xiàng)技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（14.3mOhm @ 4A, 8V）、Vgs(th) (Max) @ Id（1.2V @ 250μA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（4.6nC @ 4.5V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（662pF @ 15V）、Power - Max（6W） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。同時(shí)您還可以下載PDF規(guī)格書，獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。

關(guān)于 德州儀器：德州儀器公司（Texas Instruments Incorporated，簡(jiǎn)稱TI）是一家全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體設(shè)計(jì)和制造企業(yè)，專注于開發(fā)模擬集成電路和嵌入式處理器。通過匯聚全球最杰出的人才，TI不斷創(chuàng)造出塑造科技未來的創(chuàng)新成果。TI正助力超過10萬名客戶在當(dāng)下變革未來。

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