AONX38168 萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體FET、MOSFET 陣列
萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體 AONX38168 FET、MOSFET 陣列
AONX38168是萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體旗下的FET、MOSFET 陣列 產(chǎn)品，深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供AONX38168現(xiàn)貨庫(kù)存與價(jià)格報(bào)價(jià)查詢。我們可為您提供AONX38168 datasheet數(shù)據(jù)手冊(cè)下載、規(guī)格參數(shù)查閱及替代型號(hào)推薦，原裝正品保障，支持批量采購(gòu)與在線詢價(jià)，發(fā)貨速度快。
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規(guī)格參數(shù)
| Product Status | Active |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| FET Feature | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 25A (Ta), 62A (Tc), 50A (Ta), 85A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.3mOhm @ 20A, 10V, 0.8mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.9V @ 250μA, 1.8V @ 250μA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24nC @ 10V, 85nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1150pF @ 12.5V, 4520pF @ 12.5V |
| Power - Max | 3.1W (Ta), 20W (Tc), 3.2W (Ta), 69W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-VDFN Exposed Pad |
| Supplier Device Package | 8-DFN (5x6) |
AONX38168 萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體FET、MOSFET 陣列 - 規(guī)格參數(shù)與選型指南
AONX38168 是由 萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體 制造的 FET、MOSFET 陣列 類電子元器件。25V DUAL ASYMMETRIC N-CHANNEL XS。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical、Drain to Source Voltage (Vdss): 25V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 62A (Tc), 50A (Ta), 85A (Tc)、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V, 0.8mOhm @ 20A, 10V。
AONX38168 共有 14 項(xiàng)技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Vgs(th) (Max) @ Id（1.9V @ 250μA, 1.8V @ 250μA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（24nC @ 10V, 85nC @ 10V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（1150pF @ 12.5V, 4520pF @ 12.5V）、Power - Max（3.1W (Ta), 20W (Tc), 3.2W (Ta), 69W (Tc)）、Operating Temperature（-55°C ~ 150°C (TJ)） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁(yè)。同時(shí)您還可以下載PDF規(guī)格書，獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。
關(guān)于 萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體：**萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體 (Alpha and Omega Semiconductor, Inc.)：賦能高效能源應(yīng)用的功率半導(dǎo)體先驅(qū)**
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