TC2320TG-G 微芯科技FET、MOSFET 陣列
微芯科技 TC2320TG-G FET、MOSFET 陣列
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規(guī)格參數(shù)
| Product Status | Active |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | N and P-Channel |
| FET Feature | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7Ohm @ 1A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 110pF @ 25V |
| Power - Max | - |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
TC2320TG-G 微芯科技FET、MOSFET 陣列 - 規(guī)格參數(shù)與選型指南
TC2320TG-G 是由 微芯科技 制造的 FET、MOSFET 陣列 類電子元器件。MOSFET N/P-CH 200V 8SOIC。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: N and P-Channel、Drain to Source Voltage (Vdss): 200V、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1A, 10V、Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA。
TC2320TG-G 共有 11 項(xiàng)技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（110pF @ 25V）、Operating Temperature（-55°C ~ 150°C (TJ)）、Mounting Type（Surface Mount）、Package / Case（8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)）、Supplier Device Package（8-SOIC） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁(yè)。
關(guān)于 微芯科技：微芯科技（Microchip Technology Inc.）是一家全球領(lǐng)先的**電子元器件**和**IC芯片**供應(yīng)商，以其創(chuàng)新的**微控制器**和**模擬半導(dǎo)體**解決方案，賦能全球數(shù)以萬(wàn)計(jì)的客戶實(shí)現(xiàn)低風(fēng)險(xiǎn)的產(chǎn)品開發(fā)、降低整體系統(tǒng)成本并加速產(chǎn)品上市進(jìn)程。公司總部位于美國(guó)亞利桑那州錢德勒，自成立以來(lái)，微芯科技始終致力于提供卓越的技術(shù)支持、可靠的交付和高品質(zhì)的產(chǎn)品，贏得了業(yè)界的廣泛贊譽(yù)。
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深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司是微芯科技代理商，專業(yè)供應(yīng)TC2320TG-G等FET、MOSFET 陣列 產(chǎn)品。如您需要TC2320TG-G的datasheet數(shù)據(jù)手冊(cè)、規(guī)格參數(shù)詳情或替代型號(hào)信息，歡迎聯(lián)系我們獲取技術(shù)支持。
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