EFC3J018NUZTDG 安森美FET、MOSFET 陣列
安森美 EFC3J018NUZTDG FET、MOSFET 陣列
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規(guī)格參數
| Product Status | Active |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| FET Feature | Logic Level Gate, 2.5V Drive |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 23A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.7mOhm @ 5A, 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.3V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 75nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Power - Max | 2.5W (Ta) |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 6-XFBGA, WLCSP |
| Supplier Device Package | 6-WLCSP (1.77x3.05) |
EFC3J018NUZTDG 安森美FET、MOSFET 陣列 - 規(guī)格參數與選型指南
EFC3J018NUZTDG 是由 安森美 制造的 FET、MOSFET 陣列 類電子元器件。MOSFET 2N-CH 20V 23A 6WLCSP。該器件的核心參數包括：Product Status: Active、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain、FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive、Drain to Source Voltage (Vdss): 20V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta)。
EFC3J018NUZTDG 共有 14 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（4.7mOhm @ 5A, 4.5V）、Vgs(th) (Max) @ Id（1.3V @ 1mA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（75nC @ 4.5V）、Power - Max（2.5W (Ta)）、Operating Temperature（150°C (TJ)） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。
關于 安森美：安森美（onsemi）作為全球領先的能源高效創(chuàng)新驅動者，致力于賦能客戶實現全球能源消耗的降低。公司憑借深厚的技術積淀和前瞻性的戰(zhàn)略布局，為全球設計工程師提供全面、領先的**電子元器件**解決方案。安森美的主營產品線涵蓋了廣泛的**電子元件**類別，包括但不限于高性能的能源高效電源管理**IC芯片**、信號管理**IC芯片**、邏輯器件、分立器件以及定制化解決方案。這些**元器件**是現代電子產品不可或缺的組成部分，安森美通過其豐富的產品組合，有效應對客戶在各種復雜設計挑戰(zhàn)中遇到的難題。
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