CSD85302L 德州儀器FET、MOSFET 陣列
德州儀器 CSD85302L FET、MOSFET 陣列
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規(guī)格參數(shù)
| Product Status | Active |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| FET Feature | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs(th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.8nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Power - Max | 1.7W |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 4-XFLGA |
| Supplier Device Package | 4-Picostar (1.31x1.31) |
CSD85302L 德州儀器FET、MOSFET 陣列 - 規(guī)格參數(shù)與選型指南
CSD85302L 是由 德州儀器 制造的 FET、MOSFET 陣列 類電子元器件。MOSFET 2N-CH 20V 5A。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8nC @ 4.5V、Power - Max: 1.7W、Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)。
CSD85302L 共有 9 項(xiàng)技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Mounting Type（Surface Mount）、Package / Case（4-XFLGA）、Supplier Device Package（4-Picostar (1.31x1.31)） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。
關(guān)于 德州儀器：德州儀器公司（Texas Instruments Incorporated，簡(jiǎn)稱TI）是一家全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體設(shè)計(jì)和制造企業(yè)，專注于開發(fā)模擬集成電路和嵌入式處理器。通過匯聚全球最杰出的人才，TI不斷創(chuàng)造出塑造科技未來的創(chuàng)新成果。TI正助力超過10萬名客戶在當(dāng)下變革未來。
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深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司是德州儀器代理商，專業(yè)供應(yīng)CSD85302L等FET、MOSFET 陣列 產(chǎn)品。如您需要CSD85302L的datasheet數(shù)據(jù)手冊(cè)、規(guī)格參數(shù)詳情或替代型號(hào)信息，歡迎聯(lián)系我們獲取技術(shù)支持。
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