DMN61D8LVT-7 德利通FET、MOSFET 陣列
德利通 DMN61D8LVT-7 FET、MOSFET 陣列
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規(guī)格參數
| Product Status | Active |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 630mA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8Ohm @ 150mA, 5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.74nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 12.9pF @ 12V |
| Power - Max | 820mW |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Supplier Device Package | TSOT-26 |
DMN61D8LVT-7 德利通FET、MOSFET 陣列 - 規(guī)格參數與選型指南
DMN61D8LVT-7 是由 德利通 制造的 FET、MOSFET 陣列 類電子元器件。MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26。該器件的核心參數包括：Product Status: Active、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 N-Channel (Dual)、FET Feature: Logic Level Gate、Drain to Source Voltage (Vdss): 60V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA。
DMN61D8LVT-7 共有 15 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（1.8Ohm @ 150mA, 5V）、Vgs(th) (Max) @ Id（2V @ 1mA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（0.74nC @ 5V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（12.9pF @ 12V）、Power - Max（820mW） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。
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