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EPC2221 意法半導(dǎo)體FET、MOSFET 陣列
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EPC2221 意法半導(dǎo)體FET、MOSFET 陣列

品牌:意法半導(dǎo)體 分類(lèi):FET、MOSFET 陣列 描述:TRANS GAN DUAL 100V.11OHM 9BMPD
¥18.72

意法半導(dǎo)體 EPC2221 FET、MOSFET 陣列

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規(guī)格參數(shù)

Product StatusActive
TechnologyGaNFET (Gallium Nitride)
Configuration2 N-Channel (Dual) Common Source
FET Feature-
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
Vgs(th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds-
Power - Max-
Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseDie
Supplier Device PackageDie

EPC2221 意法半導(dǎo)體FET、MOSFET 陣列 - 規(guī)格參數(shù)與選型指南

EPC2221 是由 意法半導(dǎo)體 制造的 FET、MOSFET 陣列 類(lèi)電子元器件。TRANS GAN DUAL 100V.11OHM 9BMPD。該器件的核心參數(shù)包括:Product Status: Active、Technology: GaNFET (Gallium Nitride)、Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source、Drain to Source Voltage (Vdss): 100V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A、Operating Temperature: 150°C (TJ)。

EPC2221 共有 9 項(xiàng)技術(shù)參數(shù),涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Mounting Type(Surface Mount)、Package / Case(Die)、Supplier Device Package(Die) 等。更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁(yè)。

關(guān)于 意法半導(dǎo)體:意法半導(dǎo)體(EPC)作為氮化鎵(GaN)功率管理器件領(lǐng)域的創(chuàng)新領(lǐng)導(dǎo)者,始終致力于推動(dòng)電子元器件技術(shù)的革新。EPC率先推出了業(yè)界首款增強(qiáng)型氮化鎵硅基(eGaN?)場(chǎng)效應(yīng)晶體管,成功地將GaN技術(shù)應(yīng)用于高性能功率 MOSFET 的替代方案。相較于傳統(tǒng)的硅基功率 MOSFET,EPC 的 eGaN? 器件在性能上實(shí)現(xiàn)了數(shù)倍的飛躍,為眾多尖端應(yīng)用領(lǐng)域提供了卓越的解決方案。

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EPC2221常見(jiàn)問(wèn)題

EPC2221的datasheet數(shù)據(jù)手冊(cè)在哪里下載?
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EPC2221的規(guī)格參數(shù)有哪些?有哪些替代型號(hào)?
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深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司是意法半導(dǎo)體的代理商和供應(yīng)商嗎?
是的,深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司是意法半導(dǎo)體代理商,專(zhuān)業(yè)供應(yīng)EPC2221等FET、MOSFET 陣列 產(chǎn)品。我們提供EPC2221現(xiàn)貨庫(kù)存、價(jià)格報(bào)價(jià)、datasheet數(shù)據(jù)手冊(cè)下載和技術(shù)支持等一站式服務(wù),是您采購(gòu)意法半導(dǎo)體 FET、MOSFET 陣列 的可靠供應(yīng)商。

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