APTC90DAM60T1G是美高森美旗下的單 FET、MOSFET 產(chǎn)品，深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供APTC90DAM60T1G現(xiàn)貨庫(kù)存與價(jià)格報(bào)價(jià)查詢(xún)。我們可為您提供APTC90DAM60T1G datasheet數(shù)據(jù)手冊(cè)下載、規(guī)格參數(shù)查閱及替代型號(hào)推薦，原裝正品保障，支持批量采購(gòu)與在線詢(xún)價(jià)，發(fā)貨速度快。
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| Product Status | Obsolete |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 900 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 59A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 52A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 6mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 540 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 13600 pF @ 100 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 462W (Tc) |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Supplier Device Package | SP1 |
| Package / Case | SP1 |
APTC90DAM60T1G 是由 美高森美 制造的 單 FET、MOSFET 類(lèi)電子元器件。MOSFET N-CH 900V 59A SP1。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Obsolete、FET Type: N-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V。
APTC90DAM60T1G 共有 16 項(xiàng)技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（60mOhm @ 52A, 10V）、Vgs(th) (Max) @ Id（3.5V @ 6mA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（540 nC @ 10 V）、Vgs (Max)（±20V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（13600 pF @ 100 V） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁(yè)。
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