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APTM20UM05SG 美高森美單 FET、MOSFET
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APTM20UM05SG 美高森美單 FET、MOSFET

品牌:美高森美 分類:單 FET、MOSFET 描述:MOSFET N-CH 200V 317A MODULE

美高森美 APTM20UM05SG 單 FET、MOSFET

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規(guī)格參數(shù)

Product StatusDiscontinued at Digi-Key
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C317A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs5mOhm @ 158.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 10mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs448 nC @ 10 V
Vgs (Max)±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds27400 pF @ 25 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)1136W (Tc)
Operating Temperature-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeChassis Mount
Supplier Device PackageModule
Package / CaseJ3 Module

APTM20UM05SG 美高森美單 FET、MOSFET - 規(guī)格參數(shù)與選型指南

APTM20UM05SG 是由 美高森美 制造的 單 FET、MOSFET 類電子元器件。MOSFET N-CH 200V 317A MODULE。該器件的核心參數(shù)包括:Product Status: Discontinued at Digi-Key、FET Type: N-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 317A (Tc)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V。

APTM20UM05SG 共有 16 項(xiàng)技術(shù)參數(shù),涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs(5mOhm @ 158.5A, 10V)、Vgs(th) (Max) @ Id(5V @ 10mA)、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs(448 nC @ 10 V)、Vgs (Max)(±30V)、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds(27400 pF @ 25 V) 等。更多詳細(xì)參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。

關(guān)于 美高森美:**美高森美 (Microsemi):高性能半導(dǎo)體解決方案的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者**

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APTM20UM05SG常見問題

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