KFJ4B01100L是新唐科技股份有限公司旗下的單 FET、MOSFET 產(chǎn)品，深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供KFJ4B01100L現(xiàn)貨庫存與價格報價查詢。我們可為您提供KFJ4B01100L datasheet數(shù)據(jù)手冊下載、規(guī)格參數(shù)查閱及替代型號推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價，發(fā)貨速度快。
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| Product Status | Active |
| FET Type | P-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.2A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 74mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1.2mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7 nC @ 4.5 V |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 459 pF @ 10 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 360mW (Ta) |
| Operating Temperature | 150°C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | 4-CSP (0.8x0.8) |
| Package / Case | 4-XFLGA, CSP |
KFJ4B01100L 是由 新唐科技股份有限公司 制造的 單 FET、MOSFET 類電子元器件。TMOS。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、FET Type: P-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V。
KFJ4B01100L 共有 16 項技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（74mOhm @ 1.5A, 4.5V）、Vgs(th) (Max) @ Id（1V @ 1.2mA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（7 nC @ 4.5 V）、Vgs (Max)（±8V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（459 pF @ 10 V） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。
關(guān)于 新唐科技股份有限公司：新唐科技股份有限公司（Nuvoton Technology Corporation）是一家致力于為全球市場提供創(chuàng)新半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)先企業(yè)。公司于2008年7月從華邦電子股份有限公司分拆獨(dú)立，并于2010年9月在臺灣證券交易所（TWSE）成功上市。新唐科技專注于微控制器（MCU）、微處理器（MPU）、智能家居、云安全I(xiàn)C、電池監(jiān)控IC、以及集成視覺傳感和物聯(lián)網(wǎng)（IoT）安全技術(shù)的研發(fā)與應(yīng)用，在工業(yè)、汽車、通訊、消費(fèi)電子及計算機(jī)等領(lǐng)域均擁有強(qiáng)大的市場影響力。
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