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CWDM305P TR13 PBFREE 中央半導體單 FET、MOSFET
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CWDM305P TR13 PBFREE 中央半導體單 FET、MOSFET

品牌:中央半導體 分類:單 FET、MOSFET 描述:MOSFET P-CH 30V 5.3A 8SOIC
¥0.85

中央半導體 CWDM305P TR13 PBFREE 單 FET、MOSFET

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規(guī)格參數(shù)

Product StatusActive
FET TypeP-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5.3A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs72mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7 nC @ 5 V
Vgs (Max)16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds590 pF @ 10 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)2W (Ta)
Operating Temperature-
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device Package8-SOIC
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

CWDM305P TR13 PBFREE 中央半導體單 FET、MOSFET - 規(guī)格參數(shù)與選型指南

CWDM305P TR13 PBFREE 是由 中央半導體 制造的 單 FET、MOSFET 類電子元器件。MOSFET P-CH 30V 5.3A 8SOIC。該器件的核心參數(shù)包括:Product Status: Active、FET Type: P-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V。

CWDM305P TR13 PBFREE 共有 15 項技術參數(shù),涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs(72mOhm @ 2.7A, 10V)、Vgs(th) (Max) @ Id(3V @ 250μA)、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs(7 nC @ 5 V)、Vgs (Max)(16V)、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds(590 pF @ 10 V) 等。更多詳細參數(shù)請查閱上方"產品參數(shù)"標簽頁。同時您還可以下載PDF規(guī)格書,獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。

關于 中央半導體:Central Semiconductor,中文名「中央半導體」,自1974年起,便致力于為全球電子產品制造創(chuàng)新型分立式半導體元器件。作為業(yè)界資深的電子元件制造商,中央半導體在數(shù)十年的發(fā)展歷程中,憑借其卓越的技術實力和對品質的不懈追求,贏得了廣泛的市場認可。其核心產品線涵蓋了種類繁多的電子元件,包括但不限于標準及定制化的小信號晶體管、雙極功率晶體管、MOSFETs、二極管、整流器、保護器件、限流二極管、橋式整流器、晶閘管,以及前沿的碳化硅(SiC)器件。這些高質量的IC芯片和分立半導體元件,是現(xiàn)代電子設備不可或缺的組成部分。

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CWDM305P TR13 PBFREE常見問題

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