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| Product Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 28A (Ta), 125A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.7mOhm @ 28A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.1V @ 50μA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 4.5 V |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2510 pF @ 13 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 2.1W (Ta), 42W (Tc) |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | DIRECTFET? S3C |
| Package / Case | DirectFET? Isometric S3C |
IRF6892STRPBF 是由 國際整流器 制造的 單 FET、MOSFET 類電子元器件。25V 999A DIRECTFET-LV。該器件的核心參數(shù)包括:Product Status: Active、FET Type: N-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 125A (Tc)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V。
IRF6892STRPBF 共有 16 項(xiàng)技術(shù)參數(shù),涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs(1.7mOhm @ 28A, 10V)、Vgs(th) (Max) @ Id(2.1V @ 50μA)、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs(25 nC @ 4.5 V)、Vgs (Max)(±16V)、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds(2510 pF @ 13 V) 等。更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。同時(shí)您還可以下載PDF規(guī)格書,獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。
關(guān)于 國際整流器:International Rectifier(中文名:國際整流器),作為一家在電子元器件行業(yè)享有盛譽(yù)的品牌,憑借其深厚的技術(shù)積淀和卓越的產(chǎn)品性能,在全球范圍內(nèi)贏得了廣泛認(rèn)可。自創(chuàng)立以來,國際整流器始終專注于高端電源管理半導(dǎo)體和功率器件的研發(fā)、制造與銷售,為現(xiàn)代電子設(shè)備的發(fā)展注入強(qiáng)大動(dòng)力。其主營產(chǎn)品類別涵蓋了功率 MOSFET、IGBT、二極管、整流器、電源管理 IC、模擬 IC 以及一系列高集成度的電源模塊等,這些**電子元件**構(gòu)成了各類電子系統(tǒng)中的關(guān)鍵組成部分。
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