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IRF6811STRPBF 國(guó)際整流器單 FET、MOSFET
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IRF6811STRPBF 國(guó)際整流器單 FET、MOSFET

品牌:國(guó)際整流器 分類:單 FET、MOSFET 描述:MOSFET N-CH 25V 19A/74A DIRECTFT
¥5.04

國(guó)際整流器 IRF6811STRPBF 單 FET、MOSFET

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規(guī)格參數(shù)

Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)25 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C19A (Ta), 74A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.7mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id2.1V @ 35μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs17 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)±16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1590 pF @ 13 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)2.1W (Ta), 32W (Tc)
Operating Temperature-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackageDirectFET? Isometric SQ
Package / CaseDirectFET? Isometric SQ

IRF6811STRPBF 國(guó)際整流器單 FET、MOSFET - 規(guī)格參數(shù)與選型指南

IRF6811STRPBF 是由 國(guó)際整流器 制造的 單 FET、MOSFET 類電子元器件。MOSFET N-CH 25V 19A/74A DIRECTFT。該器件的核心參數(shù)包括:Product Status: Active、FET Type: N-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 74A (Tc)、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 19A, 10V。

IRF6811STRPBF 共有 15 項(xiàng)技術(shù)參數(shù),涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Vgs(th) (Max) @ Id(2.1V @ 35μA)、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs(17 nC @ 4.5 V)、Vgs (Max)(±16V)、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds(1590 pF @ 13 V)、Power Dissipation (Max)(2.1W (Ta), 32W (Tc)) 等。更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁(yè)。

關(guān)于 國(guó)際整流器:International Rectifier(中文名:國(guó)際整流器),作為一家在電子元器件行業(yè)享有盛譽(yù)的品牌,憑借其深厚的技術(shù)積淀和卓越的產(chǎn)品性能,在全球范圍內(nèi)贏得了廣泛認(rèn)可。自創(chuàng)立以來(lái),國(guó)際整流器始終專注于高端電源管理半導(dǎo)體和功率器件的研發(fā)、制造與銷售,為現(xiàn)代電子設(shè)備的發(fā)展注入強(qiáng)大動(dòng)力。其主營(yíng)產(chǎn)品類別涵蓋了功率 MOSFET、IGBT、二極管、整流器、電源管理 IC、模擬 IC 以及一系列高集成度的電源模塊等,這些**電子元件**構(gòu)成了各類電子系統(tǒng)中的關(guān)鍵組成部分。

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IRF6811STRPBF常見(jiàn)問(wèn)題

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