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MMFTP5618-AQ 泰迪半導(dǎo)體單 FET、MOSFET
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MMFTP5618-AQ 泰迪半導(dǎo)體單 FET、MOSFET

品牌:泰迪半導(dǎo)體 分類:單 FET、MOSFET 描述:MOSFET, SOT-23, -60V, -1.25A, 15
¥1.42

泰迪半導(dǎo)體 MMFTP5618-AQ 單 FET、MOSFET

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規(guī)格參數(shù)

Product StatusActive
FET TypeP-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.25A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs170mOhm @ 1.25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7 nC @ 10 V
Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds361 pF @ 30 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)500mW (Ta)
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackageSOT-23-3 (TO-236)
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3

MMFTP5618-AQ 泰迪半導(dǎo)體單 FET、MOSFET - 規(guī)格參數(shù)與選型指南

MMFTP5618-AQ 是由 泰迪半導(dǎo)體 制造的 單 FET、MOSFET 類電子元器件。MOSFET, SOT-23, -60V, -1.25A, 15。該器件的核心參數(shù)包括:Product Status: Active、FET Type: P-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.25A (Ta)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V。

MMFTP5618-AQ 共有 16 項(xiàng)技術(shù)參數(shù),涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs(170mOhm @ 1.25A, 10V)、Vgs(th) (Max) @ Id(3V @ 1mA)、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs(7 nC @ 10 V)、Vgs (Max)(±20V)、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds(361 pF @ 30 V) 等。更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。同時(shí)您還可以下載PDF規(guī)格書,獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。

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MMFTP5618-AQ常見問題

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