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CGD65B130S2-T13是劍橋氮化鎵器件旗下的單 FET、MOSFET 產(chǎn)品,深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供CGD65B130S2-T13現(xiàn)貨庫(kù)存與價(jià)格報(bào)價(jià)查詢(xún)。我們可為您提供CGD65B130S2-T13 datasheet數(shù)據(jù)手冊(cè)下載、規(guī)格參數(shù)查閱及替代型號(hào)推薦,原裝正品保障,支持批量采購(gòu)與在線詢(xún)價(jià),發(fā)貨速度快。
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| Product Status | Active |
| FET Type | - |
| Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 9V, 20V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 182mOhm @ 900mA, 12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.2V @ 4.2mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.3 nC @ 12 V |
| Vgs (Max) | +20V, -1V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| FET Feature | Current Sensing |
| Power Dissipation (Max) | - |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | 8-DFN (5x6) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
CGD65B130S2-T13 是由 劍橋氮化鎵器件 制造的 單 FET、MOSFET 類(lèi)電子元器件。650V GAN HEMT, 130MOHM, DFN5X6。該器件的核心參數(shù)包括:Product Status: Active、Technology: GaNFET (Gallium Nitride)、Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 9V, 20V、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 900mA, 12V。
CGD65B130S2-T13 共有 14 項(xiàng)技術(shù)參數(shù),涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Vgs(th) (Max) @ Id(4.2V @ 4.2mA)、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs(2.3 nC @ 12 V)、Vgs (Max)(+20V, -1V)、FET Feature(Current Sensing)、Operating Temperature(-55°C ~ 150°C (TJ)) 等。更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁(yè)。同時(shí)您還可以下載PDF規(guī)格書(shū),獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。
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CGD65B130S2-T13 現(xiàn)貨庫(kù)存充足,可通過(guò)深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司立即采購(gòu)。作為 劍橋氮化鎵器件 代理商和供應(yīng)商,我們保證所有元器件均為100%原裝正品,來(lái)源可靠可追溯。我們提供CGD65B130S2-T13價(jià)格報(bào)價(jià)查詢(xún)、datasheet數(shù)據(jù)手冊(cè)下載、規(guī)格參數(shù)查閱及替代型號(hào)推薦服務(wù),支持批量采購(gòu)與在線詢(xún)價(jià)。立即申請(qǐng)報(bào)價(jià),獲取 CGD65B130S2-T13 的最新價(jià)格和交期信息。
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