TP2104N3-G-P003 微芯科技單 FET、MOSFET
微芯科技 TP2104N3-G-P003 單 FET、MOSFET
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規(guī)格參數
| Product Status | Active |
| FET Type | P-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 175mA (Tj) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6Ohm @ 500mA, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 60 pF @ 25 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 740mW (Ta) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
TP2104N3-G-P003 微芯科技單 FET、MOSFET - 規(guī)格參數與選型指南
TP2104N3-G-P003 是由 微芯科技 制造的 單 FET、MOSFET 類電子元器件。MOSFET P-CH 40V 175MA TO92-3。該器件的核心參數包括：Product Status: Active、FET Type: P-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175mA (Tj)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V。
TP2104N3-G-P003 共有 15 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（6Ohm @ 500mA, 10V）、Vgs(th) (Max) @ Id（2V @ 1mA）、Vgs (Max)（±20V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（60 pF @ 25 V）、Power Dissipation (Max)（740mW (Ta)） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規(guī)格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
關于 微芯科技：微芯科技（Microchip Technology Inc.）是一家全球領先的**電子元器件**和**IC芯片**供應商，以其創(chuàng)新的**微控制器**和**模擬半導體**解決方案，賦能全球數以萬計的客戶實現(xiàn)低風險的產品開發(fā)、降低整體系統(tǒng)成本并加速產品上市進程。公司總部位于美國亞利桑那州錢德勒，自成立以來，微芯科技始終致力于提供卓越的技術支持、可靠的交付和高品質的產品，贏得了業(yè)界的廣泛贊譽。
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