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MCU65N10Y-TP 微電子元件公司單 FET、MOSFET
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MCU65N10Y-TP 微電子元件公司單 FET、MOSFET

品牌:微電子元件公司 分類:單 FET、MOSFET 描述:N-CHANNEL MOSFET,DPAK
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微電子元件公司 MCU65N10Y-TP 單 FET、MOSFET

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規(guī)格參數

Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C65A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs8.6mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs32 nC @ 10 V
Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2270 pF @ 50 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)96W (Tj)
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackageDPAK (TO-252)
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

MCU65N10Y-TP 微電子元件公司單 FET、MOSFET - 規(guī)格參數與選型指南

MCU65N10Y-TP 是由 微電子元件公司 制造的 單 FET、MOSFET 類電子元器件。N-CHANNEL MOSFET,DPAK。該器件的核心參數包括:Product Status: Active、FET Type: N-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V。

MCU65N10Y-TP 共有 16 項技術參數,涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs(8.6mOhm @ 20A, 10V)、Vgs(th) (Max) @ Id(2.5V @ 250μA)、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs(32 nC @ 10 V)、Vgs (Max)(±20V)、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds(2270 pF @ 50 V) 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規(guī)格書,獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。

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MCU65N10Y-TP常見問題

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