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HUF76609D3S 仙童半導體單 FET、MOSFET
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HUF76609D3S 仙童半導體單 FET、MOSFET

品牌:仙童半導體 分類:單 FET、MOSFET 描述:MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
¥2.81

仙童半導體 HUF76609D3S 單 FET、MOSFET

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規(guī)格參數(shù)

Product StatusObsolete
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs160mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs16 nC @ 10 V
Vgs (Max)±16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds425 pF @ 25 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)49W (Tc)
Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackageTO-252, (D-Pak)
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

HUF76609D3S 仙童半導體單 FET、MOSFET - 規(guī)格參數(shù)與選型指南

HUF76609D3S 是由 仙童半導體 制造的 單 FET、MOSFET 類電子元器件。MOSFET N-CH 100V 10A DPAK。該器件的核心參數(shù)包括:Product Status: Obsolete、FET Type: N-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V。

HUF76609D3S 共有 16 項技術參數(shù),涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs(160mOhm @ 10A, 10V)、Vgs(th) (Max) @ Id(3V @ 250μA)、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs(16 nC @ 10 V)、Vgs (Max)(±16V)、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds(425 pF @ 25 V) 等。更多詳細參數(shù)請查閱上方"產品參數(shù)"標簽頁。

關于 仙童半導體:Fairchild Semiconductor,中文名“仙童半導體”,是全球知名的半導體解決方案供應商,以其在功率半導體和模擬集成電路領域的深厚積淀而聞名。自創(chuàng)立以來,仙童半導體一直致力于提供高性能、高可靠性的電子元器件,成為眾多行業(yè)領先企業(yè)信賴的合作伙伴。其主營產品類別廣泛,涵蓋了功率器件(如MOSFET、IGBT、二極管)、模擬IC(如運算放大器、數(shù)據(jù)轉換器、電源管理IC)、邏輯IC以及汽車電子專用器件等。這些電子元件是現(xiàn)代電子設備不可或缺的基礎。

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HUF76609D3S常見問題

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