BSC109N10NS3GATMA1 英飛凌科技單 FET、MOSFET

BSC109N10NS3GATMA1 英飛凌科技單 FET、MOSFET - 規(guī)格參數(shù)與選型指南

BSC109N10NS3GATMA1 是由 英飛凌科技 制造的 單 FET、MOSFET 類(lèi)電子元器件。MOSFET N-CH 100V 63A TDSON-8-1。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、FET Type: N-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V。

BSC109N10NS3GATMA1 共有 16 項(xiàng)技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（10.9mOhm @ 46A, 10V）、Vgs(th) (Max) @ Id（3.5V @ 45μA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（35 nC @ 10 V）、Vgs (Max)（±20V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（2500 pF @ 50 V） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁(yè)。同時(shí)您還可以下載PDF規(guī)格書(shū)，獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。

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