DN3135N8-G 微芯科技單 FET、MOSFET
微芯科技 DN3135N8-G 單 FET、MOSFET
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規(guī)格參數(shù)
| Product Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 350 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 135mA (Tj) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 0V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35Ohm @ 150mA, 0V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 120 pF @ 25 V |
| FET Feature | Depletion Mode |
| Power Dissipation (Max) | 1.3W (Ta) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | TO-243AA (SOT-89) |
| Package / Case | TO-243AA |
DN3135N8-G 微芯科技單 FET、MOSFET - 規(guī)格參數(shù)與選型指南
DN3135N8-G 是由 微芯科技 制造的 單 FET、MOSFET 類電子元器件。MOSFET N-CH 350V 135MA TO243AA。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、FET Type: N-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 135mA (Tj)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V。
DN3135N8-G 共有 15 項(xiàng)技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（35Ohm @ 150mA, 0V）、Vgs (Max)（±20V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（120 pF @ 25 V）、FET Feature（Depletion Mode）、Power Dissipation (Max)（1.3W (Ta)） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。同時(shí)您還可以下載PDF規(guī)格書，獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。
關(guān)于 微芯科技：微芯科技（Microchip Technology Inc.）是一家全球領(lǐng)先的**電子元器件**和**IC芯片**供應(yīng)商，以其創(chuàng)新的**微控制器**和**模擬半導(dǎo)體**解決方案，賦能全球數(shù)以萬計(jì)的客戶實(shí)現(xiàn)低風(fēng)險(xiǎn)的產(chǎn)品開發(fā)、降低整體系統(tǒng)成本并加速產(chǎn)品上市進(jìn)程。公司總部位于美國亞利桑那州錢德勒，自成立以來，微芯科技始終致力于提供卓越的技術(shù)支持、可靠的交付和高品質(zhì)的產(chǎn)品，贏得了業(yè)界的廣泛贊譽(yù)。
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