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BUK9Y22-100E,115 Nexperia單 FET、MOSFET
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BUK9Y22-100E,115 Nexperia單 FET、MOSFET

品牌:Nexperia 分類:單 FET、MOSFET 描述:MOSFET N-CH 100V 49A LFPAK56
¥9.58

Nexperia BUK9Y22-100E,115 單 FET、MOSFET

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規(guī)格參數

Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C49A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs21.5mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id2.1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs35.8 nC @ 5 V
Vgs (Max)±10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4640 pF @ 25 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)147W (Tc)
Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackageLFPAK56, Power-SO8
Package / CaseSC-100, SOT-669

BUK9Y22-100E,115 Nexperia單 FET、MOSFET - 規(guī)格參數與選型指南

BUK9Y22-100E,115 是由 Nexperia 制造的 單 FET、MOSFET 類電子元器件。MOSFET N-CH 100V 49A LFPAK56。該器件的核心參數包括:Product Status: Active、FET Type: N-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V。

BUK9Y22-100E,115 共有 16 項技術參數,涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs(21.5mOhm @ 15A, 10V)、Vgs(th) (Max) @ Id(2.1V @ 1mA)、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs(35.8 nC @ 5 V)、Vgs (Max)(±10V)、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds(4640 pF @ 25 V) 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規(guī)格書,獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。

關于 Nexperia:Nexperia(中文名:Nexperia)是全球領先的、專注于大批量生產關鍵半導體的專家。作為電子元器件領域不可或缺的組成部分,Nexperia提供的各類電子元件是每一項電子設計得以實現的基礎。公司擁有豐富的產品組合,涵蓋了二極管、雙極晶體管、ESD(靜電放電)保護器件、MOSFETs、GaN(氮化鎵)FETs以及模擬與邏輯IC芯片等核心電子產品。

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BUK9Y22-100E,115常見問題

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深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司是Nexperia的代理商和供應商嗎?
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