STD26P3LLH6 意法半導體單 FET、MOSFET
意法半導體 STD26P3LLH6 單 FET、MOSFET
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規(guī)格參數(shù)
| Product Status | Active |
| FET Type | P-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 6A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250μA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 4.5 V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1450 pF @ 25 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 40W (Tc) |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
STD26P3LLH6 意法半導體單 FET、MOSFET - 規(guī)格參數(shù)與選型指南
STD26P3LLH6 是由 意法半導體 制造的 單 FET、MOSFET 類電子元器件。MOSFET P-CH 30V 12A DPAK。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、FET Type: P-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V。
STD26P3LLH6 共有 16 項技術參數(shù)，涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（30mOhm @ 6A, 10V）、Vgs(th) (Max) @ Id（2.5V @ 250μA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（12 nC @ 4.5 V）、Vgs (Max)（±20V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（1450 pF @ 25 V） 等。更多詳細參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標簽頁。同時您還可以下載PDF規(guī)格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
關于 意法半導體：意法半導體是一家全球獨立的半導體公司，是開發(fā)和提供微電子應用領域半導體解決方案的領導者。公司結合了硅和系統(tǒng)方面的專業(yè)知識、制造實力、知識產(chǎn)權（IP）組合以及戰(zhàn)略合作伙伴關系，使其在系統(tǒng)級芯片（SoC）技術的前沿占據(jù)領先地位，其產(chǎn)品在推動當今的融合趨勢中發(fā)揮著關鍵作用。
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深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司是意法半導體代理商，專業(yè)供應STD26P3LLH6等單 FET、MOSFET 產(chǎn)品。如您需要STD26P3LLH6的datasheet數(shù)據(jù)手冊、規(guī)格參數(shù)詳情或替代型號信息，歡迎聯(lián)系我們獲取技術支持。
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