IRLR2705TRPBF 英飛凌科技單 FET、MOSFET
英飛凌科技 IRLR2705TRPBF 單 FET、MOSFET
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規(guī)格參數(shù)
| Product Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 28A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40mOhm @ 17A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250μA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 5 V |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 880 pF @ 25 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 68W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | D-Pak |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
IRLR2705TRPBF 英飛凌科技單 FET、MOSFET - 規(guī)格參數(shù)與選型指南
IRLR2705TRPBF 是由 英飛凌科技 制造的 單 FET、MOSFET 類電子元器件。MOSFET N-CH 55V 28A DPAK。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、FET Type: N-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V。
IRLR2705TRPBF 共有 16 項(xiàng)技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（40mOhm @ 17A, 10V）、Vgs(th) (Max) @ Id（2V @ 250μA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（25 nC @ 5 V）、Vgs (Max)（±16V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（880 pF @ 25 V） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁(yè)。同時(shí)您還可以下載PDF規(guī)格書，獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。
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