FDN5632N-F085 安森美單 FET、MOSFET
安森美 FDN5632N-F085 單 FET、MOSFET
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規(guī)格參數(shù)
| Product Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.7A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 82mOhm @ 1.7A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250μA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 475 pF @ 15 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 1.1W (Ta) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
FDN5632N-F085 安森美單 FET、MOSFET - 規(guī)格參數(shù)與選型指南
FDN5632N-F085 是由 安森美 制造的 單 FET、MOSFET 類電子元器件。MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、FET Type: N-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V。
FDN5632N-F085 共有 16 項技術參數(shù)，涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（82mOhm @ 1.7A, 10V）、Vgs(th) (Max) @ Id（3V @ 250μA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（12 nC @ 10 V）、Vgs (Max)（±20V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（475 pF @ 15 V） 等。更多詳細參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標簽頁。同時您還可以下載PDF規(guī)格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
關于 安森美：安森美（onsemi）作為全球領先的能源高效創(chuàng)新驅動者，致力于賦能客戶實現(xiàn)全球能源消耗的降低。公司憑借深厚的技術積淀和前瞻性的戰(zhàn)略布局，為全球設計工程師提供全面、領先的**電子元器件**解決方案。安森美的主營產(chǎn)品線涵蓋了廣泛的**電子元件**類別，包括但不限于高性能的能源高效電源管理**IC芯片**、信號管理**IC芯片**、邏輯器件、分立器件以及定制化解決方案。這些**元器件**是現(xiàn)代電子產(chǎn)品不可或缺的組成部分，安森美通過其豐富的產(chǎn)品組合，有效應對客戶在各種復雜設計挑戰(zhàn)中遇到的難題。
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