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RU1J002YNTCL 羅姆半導體單 FET、MOSFET
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RU1J002YNTCL 羅姆半導體單 FET、MOSFET

品牌:羅姆半導體 分類:單 FET、MOSFET 描述:MOSFET N-CH 50V 200MA UMT3F
¥1.87

羅姆半導體 RU1J002YNTCL 單 FET、MOSFET

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規(guī)格參數(shù)

Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)50 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C200mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)0.9V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id800mV @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Vgs (Max)±8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds26 pF @ 10 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)150mW (Ta)
Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackageUMT3F
Package / CaseSC-85

RU1J002YNTCL 羅姆半導體單 FET、MOSFET - 規(guī)格參數(shù)與選型指南

RU1J002YNTCL 是由 羅姆半導體 制造的 單 FET、MOSFET 類電子元器件。MOSFET N-CH 50V 200MA UMT3F。該器件的核心參數(shù)包括:Product Status: Active、FET Type: N-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0.9V, 4.5V。

RU1J002YNTCL 共有 15 項技術參數(shù),涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs(2.2Ohm @ 200mA, 4.5V)、Vgs(th) (Max) @ Id(800mV @ 1mA)、Vgs (Max)(±8V)、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds(26 pF @ 10 V)、Power Dissipation (Max)(150mW (Ta)) 等。更多詳細參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標簽頁。同時您還可以下載PDF規(guī)格書,獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。

關于 羅姆半導體:羅姆公司成立于1958年,總部位于日本京都。羅姆設計和制造半導體、集成電路及其他電子元件,這些元件廣泛應用于不斷發(fā)展壯大的無線通信、計算機、汽車和消費電子市場。一些最具創(chuàng)新性的設備和裝置都采用了羅姆的產(chǎn)品。

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RU1J002YNTCL常見問題

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