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SCT3160KLGC11 羅姆半導體單 FET、MOSFET
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SCT3160KLGC11 羅姆半導體單 FET、MOSFET

品牌:羅姆半導體 分類:單 FET、MOSFET 描述:SICFET N-CH 1200V 17A TO247N
¥75.53

羅姆半導體 SCT3160KLGC11 單 FET、MOSFET

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規(guī)格參數

Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologySiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)1200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C17A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs208mOhm @ 5A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id5.6V @ 2.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs42 nC @ 18 V
Vgs (Max)+22V, -4V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds398 pF @ 800 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)103W (Tc)
Operating Temperature175°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole
Supplier Device PackageTO-247N
Package / CaseTO-247-3

SCT3160KLGC11 羅姆半導體單 FET、MOSFET - 規(guī)格參數與選型指南

SCT3160KLGC11 是由 羅姆半導體 制造的 單 FET、MOSFET 類電子元器件。SICFET N-CH 1200V 17A TO247N。該器件的核心參數包括:Product Status: Active、FET Type: N-Channel、Technology: SiCFET (Silicon Carbide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V。

SCT3160KLGC11 共有 16 項技術參數,涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs(208mOhm @ 5A, 18V)、Vgs(th) (Max) @ Id(5.6V @ 2.5mA)、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs(42 nC @ 18 V)、Vgs (Max)(+22V, -4V)、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds(398 pF @ 800 V) 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規(guī)格書,獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。

關于 羅姆半導體:羅姆公司成立于1958年,總部位于日本京都。羅姆設計和制造半導體、集成電路及其他電子元件,這些元件廣泛應用于不斷發(fā)展壯大的無線通信、計算機、汽車和消費電子市場。一些最具創(chuàng)新性的設備和裝置都采用了羅姆的產品。

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SCT3160KLGC11常見問題

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深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司是羅姆半導體的代理商和供應商嗎?
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