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SCT3030ARC14 羅姆半導(dǎo)體單 FET、MOSFET
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SCT3030ARC14 羅姆半導(dǎo)體單 FET、MOSFET

品牌:羅姆半導(dǎo)體 分類:單 FET、MOSFET 描述:SICFET N-CH 650V 70A TO247-4L
¥368.06

羅姆半導(dǎo)體 SCT3030ARC14 單 FET、MOSFET

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規(guī)格參數(shù)

Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologySiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C70A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs39mOhm @ 27A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id5.6V @ 13.3mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs104 nC @ 18 V
Vgs (Max)+22V, -4V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1526 pF @ 500 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)262W
Operating Temperature175°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole
Supplier Device PackageTO-247-4L
Package / CaseTO-247-4

SCT3030ARC14 羅姆半導(dǎo)體單 FET、MOSFET - 規(guī)格參數(shù)與選型指南

SCT3030ARC14 是由 羅姆半導(dǎo)體 制造的 單 FET、MOSFET 類電子元器件。SICFET N-CH 650V 70A TO247-4L。該器件的核心參數(shù)包括:Product Status: Active、FET Type: N-Channel、Technology: SiCFET (Silicon Carbide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V。

SCT3030ARC14 共有 16 項(xiàng)技術(shù)參數(shù),涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs(39mOhm @ 27A, 18V)、Vgs(th) (Max) @ Id(5.6V @ 13.3mA)、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs(104 nC @ 18 V)、Vgs (Max)(+22V, -4V)、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds(1526 pF @ 500 V) 等。更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁(yè)。同時(shí)您還可以下載PDF規(guī)格書,獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。

關(guān)于 羅姆半導(dǎo)體:羅姆公司成立于1958年,總部位于日本京都。羅姆設(shè)計(jì)和制造半導(dǎo)體、集成電路及其他電子元件,這些元件廣泛應(yīng)用于不斷發(fā)展壯大的無(wú)線通信、計(jì)算機(jī)、汽車和消費(fèi)電子市場(chǎng)。一些最具創(chuàng)新性的設(shè)備和裝置都采用了羅姆的產(chǎn)品。

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SCT3030ARC14常見(jiàn)問(wèn)題

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