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FII30-12E 力特IGBT陣列
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FII30-12E 力特IGBT陣列

品牌:力特 分類:IGBT陣列 描述:IGBT H BRIDGE 1200V 33A I4PAK5

力特 FII30-12E IGBT陣列

FII30-12E是力特旗下的IGBT陣列 產(chǎn)品,深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供FII30-12E現(xiàn)貨庫存與價格報價查詢。我們可為您提供FII30-12E datasheet數(shù)據(jù)手冊下載、規(guī)格參數(shù)查閱及替代型號推薦,原裝正品保障,支持批量采購與在線詢價,發(fā)貨速度快。

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規(guī)格參數(shù)

Product StatusObsolete
IGBT TypeNPT
ConfigurationHalf Bridge
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)1200 V
Current - Collector (Ic) (Max)33 A
Power - Max150 W
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.9V @ 15V, 20A
Current - Collector Cutoff (Max)200 μA
Input Capacitance (Cies) @ Vce1.2 nF @ 25 V
InputStandard
NTC ThermistorNo
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole
Package / Casei4-Pac?-5
Supplier Device PackageISOPLUS i4-PAC?

FII30-12E 力特IGBT陣列 - 規(guī)格參數(shù)與選型指南

FII30-12E 是由 力特 制造的 IGBT陣列 類電子元器件。IGBT H BRIDGE 1200V 33A I4PAK5。該器件的核心參數(shù)包括:Product Status: Obsolete、IGBT Type: NPT、Configuration: Half Bridge、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V、Current - Collector (Ic) (Max): 33 A、Power - Max: 150 W。

FII30-12E 共有 15 項技術(shù)參數(shù),涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Vce(on) (Max) @ Vge, Ic(2.9V @ 15V, 20A)、Current - Collector Cutoff (Max)(200 μA)、Input Capacitance (Cies) @ Vce(1.2 nF @ 25 V)、Input(Standard)、NTC Thermistor(No) 等。更多詳細(xì)參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。同時您還可以下載PDF規(guī)格書,獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。

關(guān)于 力特:力特產(chǎn)品在利用電能的應(yīng)用中是至關(guān)重要的組件,從消費電子產(chǎn)品到車輛和工業(yè)設(shè)施。他們提供業(yè)界最廣泛和最深入的電路保護產(chǎn)品組合,同時在電源控制和傳感領(lǐng)域不斷擴展。作為其加速有機增長和戰(zhàn)略收購的企業(yè)戰(zhàn)略的一部分,他們正在擴展到相鄰市場。這些市場包括功率半導(dǎo)體、重型開關(guān)、磁性、光學(xué)、機電和溫度傳感器;以及提供安全控制和分配電能的產(chǎn)品。

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FII30-12E常見問題

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