
FP35R12KT4B16BOSA1 英飛凌科技IGBT模塊
英飛凌科技 FP35R12KT4B16BOSA1 IGBT模塊
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規(guī)格參數(shù)
| Product Status | Discontinued at Digi-Key |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Configuration | Three Phase Inverter |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 70 A |
| Power - Max | 210 W |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.25V @ 15V, 35A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1 mA |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 2 nF @ 25 V |
| Input | Three Phase Bridge Rectifier |
| NTC Thermistor | Yes |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Package / Case | Module |
| Supplier Device Package | Module |
FP35R12KT4B16BOSA1 英飛凌科技IGBT模塊 - 規(guī)格參數(shù)與選型指南
FP35R12KT4B16BOSA1 是由 英飛凌科技 制造的 IGBT模塊 類電子元器件。IGBT MOD 1200V 70A 210W。該器件的核心參數(shù)包括:Product Status: Discontinued at Digi-Key、IGBT Type: Trench Field Stop、Configuration: Three Phase Inverter、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V、Current - Collector (Ic) (Max): 70 A、Power - Max: 210 W。
FP35R12KT4B16BOSA1 共有 15 項(xiàng)技術(shù)參數(shù),涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Vce(on) (Max) @ Vge, Ic(2.25V @ 15V, 35A)、Current - Collector Cutoff (Max)(1 mA)、Input Capacitance (Cies) @ Vce(2 nF @ 25 V)、Input(Three Phase Bridge Rectifier)、NTC Thermistor(Yes) 等。更多詳細(xì)參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。
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