
FS75R07U1E4BPSA1 英飛凌科技IGBT模塊
英飛凌科技 FS75R07U1E4BPSA1 IGBT模塊
FS75R07U1E4BPSA1是英飛凌科技旗下的IGBT模塊 產(chǎn)品,深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供FS75R07U1E4BPSA1現(xiàn)貨庫存與價(jià)格報(bào)價(jià)查詢。我們可為您提供FS75R07U1E4BPSA1 datasheet數(shù)據(jù)手冊(cè)下載、規(guī)格參數(shù)查閱及替代型號(hào)推薦,原裝正品保障,支持批量采購與在線詢價(jià),發(fā)貨速度快。
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規(guī)格參數(shù)
| Product Status | Not For New Designs |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Configuration | Full Bridge |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 A |
| Power - Max | 275 W |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.95V @ 15V, 75A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1 mA |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 4.6 nF @ 25 V |
| Input | Standard |
| NTC Thermistor | Yes |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Package / Case | Module |
| Supplier Device Package | Module |
FS75R07U1E4BPSA1 英飛凌科技IGBT模塊 - 規(guī)格參數(shù)與選型指南
FS75R07U1E4BPSA1 是由 英飛凌科技 制造的 IGBT模塊 類電子元器件。IGBT MOD 650V 100A 275W。該器件的核心參數(shù)包括:Product Status: Not For New Designs、IGBT Type: Trench Field Stop、Configuration: Full Bridge、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V、Current - Collector (Ic) (Max): 100 A、Power - Max: 275 W。
FS75R07U1E4BPSA1 共有 15 項(xiàng)技術(shù)參數(shù),涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Vce(on) (Max) @ Vge, Ic(1.95V @ 15V, 75A)、Current - Collector Cutoff (Max)(1 mA)、Input Capacitance (Cies) @ Vce(4.6 nF @ 25 V)、Input(Standard)、NTC Thermistor(Yes) 等。更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。同時(shí)您還可以下載PDF規(guī)格書,獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。
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FS75R07U1E4BPSA1常見問題
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