NXH50M65L4C2ESG 安森美IGBT模塊
安森美 NXH50M65L4C2ESG IGBT模塊
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規(guī)格參數(shù)
| Product Status | Active |
| IGBT Type | - |
| Configuration | Three Phase Inverter |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50 A |
| Power - Max | 20 mW |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 75A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 250 μA |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 2.608 nF @ 20 V |
| Input | Single Phase Bridge Rectifier |
| NTC Thermistor | Yes |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | 27-PowerDIP Module (1.858", 47.20mm) |
| Supplier Device Package | 27-DIP |
NXH50M65L4C2ESG 安森美IGBT模塊 - 規(guī)格參數(shù)與選型指南
NXH50M65L4C2ESG 是由 安森美 制造的 IGBT模塊 類電子元器件。650V 50A CONVERTER-INVERTER-PFCS。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、Configuration: Three Phase Inverter、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V、Current - Collector (Ic) (Max): 50 A、Power - Max: 20 mW、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 75A。
NXH50M65L4C2ESG 共有 14 項(xiàng)技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Current - Collector Cutoff (Max)（250 μA）、Input Capacitance (Cies) @ Vce（2.608 nF @ 20 V）、Input（Single Phase Bridge Rectifier）、NTC Thermistor（Yes）、Operating Temperature（-40°C ~ 150°C (TJ)） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。同時(shí)您還可以下載PDF規(guī)格書，獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。
關(guān)于 安森美：安森美（onsemi）作為全球領(lǐng)先的能源高效創(chuàng)新驅(qū)動者，致力于賦能客戶實(shí)現(xiàn)全球能源消耗的降低。公司憑借深厚的技術(shù)積淀和前瞻性的戰(zhàn)略布局，為全球設(shè)計(jì)工程師提供全面、領(lǐng)先的**電子元器件**解決方案。安森美的主營產(chǎn)品線涵蓋了廣泛的**電子元件**類別，包括但不限于高性能的能源高效電源管理**IC芯片**、信號管理**IC芯片**、邏輯器件、分立器件以及定制化解決方案。這些**元器件**是現(xiàn)代電子產(chǎn)品不可或缺的組成部分，安森美通過其豐富的產(chǎn)品組合，有效應(yīng)對客戶在各種復(fù)雜設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)中遇到的難題。
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