AFGHL25T120RH 安森美單 IGBT
安森美 AFGHL25T120RH 單 IGBT
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規(guī)格參數(shù)
| Product Status | Obsolete |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 48 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 100 A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 25A |
| Power - Max | 261 W |
| Switching Energy | 1.94mJ (on), 770μJ (off) |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 189 nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 27ns/118ns |
| Test Condition | 600V, 25A, 5Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 159 ns |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
AFGHL25T120RH 安森美單 IGBT - 規(guī)格參數(shù)與選型指南
AFGHL25T120RH 是由 安森美 制造的 單 IGBT 類電子元器件。1200V/25A FSII IGBT (NO FRD) TO2。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Obsolete、IGBT Type: Trench Field Stop、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V、Current - Collector (Ic) (Max): 48 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A。
AFGHL25T120RH 共有 17 項技術參數(shù)，涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Power - Max（261 W）、Switching Energy（1.94mJ (on), 770μJ (off)）、Input Type（Standard）、Gate Charge（189 nC）、Td (on/off) @ 25°C（27ns/118ns） 等。更多詳細參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標簽頁。
關于 安森美：安森美（onsemi）作為全球領先的能源高效創(chuàng)新驅(qū)動者，致力于賦能客戶實現(xiàn)全球能源消耗的降低。公司憑借深厚的技術積淀和前瞻性的戰(zhàn)略布局，為全球設計工程師提供全面、領先的**電子元器件**解決方案。安森美的主營產(chǎn)品線涵蓋了廣泛的**電子元件**類別，包括但不限于高性能的能源高效電源管理**IC芯片**、信號管理**IC芯片**、邏輯器件、分立器件以及定制化解決方案。這些**元器件**是現(xiàn)代電子產(chǎn)品不可或缺的組成部分，安森美通過其豐富的產(chǎn)品組合，有效應對客戶在各種復雜設計挑戰(zhàn)中遇到的難題。
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