FGAF30S65AQ 安森美單 IGBT
安森美 FGAF30S65AQ 單 IGBT
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規(guī)格參數(shù)
| Product Status | Obsolete |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 60 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 90 A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 30A |
| Power - Max | 83 W |
| Switching Energy | 515μJ (on), 140μJ (off) |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 58 nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 18ns/92ns |
| Test Condition | 400V, 15A, 13Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 267 ns |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-3P-3 Full Pack |
| Supplier Device Package | TO-3PF-3 |
FGAF30S65AQ 安森美單 IGBT - 規(guī)格參數(shù)與選型指南
FGAF30S65AQ 是由 安森美 制造的 單 IGBT 類電子元器件。IGBT 650V 30A TO-3PF。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Obsolete、IGBT Type: Trench Field Stop、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V、Current - Collector (Ic) (Max): 60 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A。
FGAF30S65AQ 共有 17 項(xiàng)技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Power - Max（83 W）、Switching Energy（515μJ (on), 140μJ (off)）、Input Type（Standard）、Gate Charge（58 nC）、Td (on/off) @ 25°C（18ns/92ns） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。
關(guān)于 安森美：安森美（onsemi）作為全球領(lǐng)先的能源高效創(chuàng)新驅(qū)動者，致力于賦能客戶實(shí)現(xiàn)全球能源消耗的降低。公司憑借深厚的技術(shù)積淀和前瞻性的戰(zhàn)略布局，為全球設(shè)計(jì)工程師提供全面、領(lǐng)先的**電子元器件**解決方案。安森美的主營產(chǎn)品線涵蓋了廣泛的**電子元件**類別，包括但不限于高性能的能源高效電源管理**IC芯片**、信號管理**IC芯片**、邏輯器件、分立器件以及定制化解決方案。這些**元器件**是現(xiàn)代電子產(chǎn)品不可或缺的組成部分，安森美通過其豐富的產(chǎn)品組合，有效應(yīng)對客戶在各種復(fù)雜設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)中遇到的難題。
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深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司是安森美代理商，專業(yè)供應(yīng)FGAF30S65AQ等單 IGBT 產(chǎn)品。如您需要FGAF30S65AQ的datasheet數(shù)據(jù)手冊、規(guī)格參數(shù)詳情或替代型號信息，歡迎聯(lián)系我們獲取技術(shù)支持。
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