
IRG4RC10SDTRPBFBTMA1 英飛凌科技單 IGBT
英飛凌科技 IRG4RC10SDTRPBFBTMA1 單 IGBT
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規(guī)格參數(shù)
| Product Status | Obsolete |
| IGBT Type | - |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 14 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 18 A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.8V @ 15V, 8A |
| Power - Max | 38 W |
| Switching Energy | 310μJ (on), 3.28mJ (off) |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 15 nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 76ns/815ns |
| Test Condition | 480V, 8A, 100Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 28 ns |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Supplier Device Package | D-PAK (TO-252AA) |
IRG4RC10SDTRPBFBTMA1 英飛凌科技單 IGBT - 規(guī)格參數(shù)與選型指南
IRG4RC10SDTRPBFBTMA1 是由 英飛凌科技 制造的 單 IGBT 類電子元器件。IGBT 600V 14A 38W DPAK。該器件的核心參數(shù)包括:Product Status: Obsolete、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V、Current - Collector (Ic) (Max): 14 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 8A、Power - Max: 38 W。
IRG4RC10SDTRPBFBTMA1 共有 16 項技術(shù)參數(shù),涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Switching Energy(310μJ (on), 3.28mJ (off))、Input Type(Standard)、Gate Charge(15 nC)、Td (on/off) @ 25°C(76ns/815ns)、Test Condition(480V, 8A, 100Ohm, 15V) 等。更多詳細(xì)參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。
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