IRGB4715DPBF 英飛凌科技單 IGBT
英飛凌科技 IRGB4715DPBF 單 IGBT
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規(guī)格參數(shù)
| Product Status | Obsolete |
| IGBT Type | - |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 21 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 24 A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 8A |
| Power - Max | 100 W |
| Switching Energy | 200μJ (on), 90μJ (off) |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 30 nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 30ns/100ns |
| Test Condition | 400V, 8A, 50Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 86 ns |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
IRGB4715DPBF 英飛凌科技單 IGBT - 規(guī)格參數(shù)與選型指南
IRGB4715DPBF 是由 英飛凌科技 制造的 單 IGBT 類電子元器件。IGBT 650V TO-220AB。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Obsolete、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V、Current - Collector (Ic) (Max): 21 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 8A、Power - Max: 100 W。
IRGB4715DPBF 共有 16 項(xiàng)技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Switching Energy（200μJ (on), 90μJ (off)）、Input Type（Standard）、Gate Charge（30 nC）、Td (on/off) @ 25°C（30ns/100ns）、Test Condition（400V, 8A, 50Ohm, 15V） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁(yè)。同時(shí)您還可以下載PDF規(guī)格書，獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。
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