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APT25GR120BSCD10 美高森美單 IGBT
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APT25GR120BSCD10 美高森美單 IGBT

品牌:美高森美 分類:單 IGBT 描述:IGBT 1200V 75A 521W TO247

美高森美 APT25GR120BSCD10 單 IGBT

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規(guī)格參數(shù)

Product StatusObsolete
IGBT TypeNPT
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)1200 V
Current - Collector (Ic) (Max)75 A
Current - Collector Pulsed (Icm)100 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic3.2V @ 15V, 25A
Power - Max521 W
Switching Energy434μJ (on), 466μJ (off)
Input TypeStandard
Gate Charge203 nC
Td (on/off) @ 25°C16ns/122ns
Test Condition600V, 25A, 4.3Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole
Package / CaseTO-247-3
Supplier Device PackageTO-247

APT25GR120BSCD10 美高森美單 IGBT - 規(guī)格參數(shù)與選型指南

APT25GR120BSCD10 是由 美高森美 制造的 單 IGBT 類電子元器件。IGBT 1200V 75A 521W TO247。該器件的核心參數(shù)包括:Product Status: Obsolete、IGBT Type: NPT、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V、Current - Collector (Ic) (Max): 75 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 25A。

APT25GR120BSCD10 共有 16 項(xiàng)技術(shù)參數(shù),涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Power - Max(521 W)、Switching Energy(434μJ (on), 466μJ (off))、Input Type(Standard)、Gate Charge(203 nC)、Td (on/off) @ 25°C(16ns/122ns) 等。更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁(yè)。同時(shí)您還可以下載PDF規(guī)格書(shū),獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。

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APT25GR120BSCD10常見(jiàn)問(wèn)題

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