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PJS6417_S1_00001 磐成單 FET、MOSFET
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PJS6417_S1_00001 磐成單 FET、MOSFET

品牌:磐成 分類:單 FET、MOSFET 描述:20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
¥3.10

磐成 PJS6417_S1_00001 單 FET、MOSFET

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規(guī)格參數(shù)

Product StatusActive
FET TypeP-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6.5A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs35mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id900mV @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs18.9 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)±8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1760 pF @ 10 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)2W (Ta)
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackageSOT-23-6
Package / CaseSOT-23-6

PJS6417_S1_00001 磐成單 FET、MOSFET - 規(guī)格參數(shù)與選型指南

PJS6417_S1_00001 是由 磐成 制造的 單 FET、MOSFET 類電子元器件。20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M。該器件的核心參數(shù)包括:Product Status: Active、FET Type: P-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V。

PJS6417_S1_00001 共有 16 項技術(shù)參數(shù),涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs(35mOhm @ 6.5A, 4.5V)、Vgs(th) (Max) @ Id(900mV @ 250μA)、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs(18.9 nC @ 4.5 V)、Vgs (Max)(±8V)、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds(1760 pF @ 10 V) 等。更多詳細參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標簽頁。

關(guān)于 磐成:PANJIT(磐成)作為一家全球性的集成器件制造商(IDM),憑借其深厚的技術(shù)積淀和前瞻性的發(fā)展戰(zhàn)略,致力于為全球客戶提供卓越的電子元器件解決方案。公司擁有豐富的產(chǎn)品線,涵蓋了廣泛的電子元件類型,包括高性能的MOSFET、高效率的肖特基二極管、前沿的碳化硅(SiC)器件、經(jīng)典的雙極結(jié)型晶體管(BJT)、整流橋等關(guān)鍵電子元器件。這些產(chǎn)品憑借其出色的性能和可靠的質(zhì)量,廣泛應用于各種嚴苛的電子設備之中。

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